Montagpena.ru

Строительство и Монтаж
0 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Проверка полевых транзисторов без выпаивания

Простые пробники транзисторов без выпаивания из схемы

Существует множество различных схем для проверки транзисторов и измерения их параметров. Но на практике чаще всего нужно бывает лишь быстро убедиться в том, что транзистор в схеме исправен, не вдаваясь в тонкости его вольт-амперных характеристик.

Ниже приведены две простейших схемы таких пробников. Они имеют минимум деталей и не требуют никакой специальной наладке. При этом с их помощью можно легко и быстро проверить практически любой транзистор (кроме полевых), как маломощный, так и большой мощности, не выпаивая его из схемы. Также с помощью этих схем можно опытным путем определить цоколевку транзистора, расположение его выводов, если транзистор вам неизвестен и нет справочной информации по нему. Токи через проверяемый транзистор в этих схемах очень малы, поэтому даже при «переполюсовке» транзистор вы не повредите.

Первая схема собрана с использованием маломощного трансформатора Tr1 (такой можно найти почти в любом старом карманном или переносном транзисторном приемнике, например «Нева», «Чайка», «Сокол»).

Такие трансформаторы называются переходными и служат для согласования каскадов усиления в приемнике. Вторичную обмотку трансформатора (она со средним выводом) надо уменьшить до 150 – 200 витков.

Измеритель можно собрать в подходящем корпусе небольших размеров. Батарея типа «Крона» располагается в корпусе и подключается через соответствующий разъем. Переключатель S1 – типа «П2-К» или любой другой с двумя группами контактов на переключение. Конденсатор можно взять емкостью от 0,01 до 0,1 мкФ, при этом изменится тональность звука. Измерительные щупы «э», «б», «к» сделать из отрезков провода разных цветов, причем удобно сделать так, чтобы первая буква цвета провода соответствовала букве вывода транзистора. Например: Красный – «Коллектор», Белый – «База» , Эмиттер – любой другой цвет (потому что нет цвета на букву «Э»! ). На концы проводов нужно припаять небольшие отрезки медного провода в качестве наконечников. Собрать пробник можно навесным монтажом, запаяв резистор и конденсатор прямо па контакты переключателя и трансформатора.

При исправном проверяемом транзисторе в телефонном капсюле, подключенном ко второй обмотке трансформатора раздастся звук. Нужно использовать высокоомный звуковой излучатель (типа «ДЭМШ», например), так как громкость его звучания достаточна для хорошей слышимости на расстоянии, поэтому его можно расположить в корпусе устройства, а не выносить наружу. Низкоомные же наушники и динамики будут шунтировать вторичную обмотку трансформатора и устройство может не работать. Можно включить в качестве излучателя телефонный капсюль (вытащить из старой телефонной трубки. Хотя и из новой тоже подойдет). Если же вообще нет никакого подходящего звукового излучателя с высоким сопротивлением, то можно использовать светодиод, подключив его вместо капсюля через добавочное сопротивление (сопротивление подобрать с учетом выходного напряжения на трансформаторе чтобы яркость его была достаточной), тогда при исправном транзисторе светодиод будет загораться.

Вторая схема пробника бестрансформаторная. Устройство и принцип работы аналогичны предыдущей схеме

Подобная схема используется мною уже много лет и способна проверять любые транзисторы. В качестве Т1 и Т2 использованы транзисторы старого типа МП-40, которые можно заменить на любые из этой серии (МП-39, -40, -41, -42). Это германиевые транзисторы, ток открывания которых заметно меньше, чем у кремниевых (типа КТ-361, КТ-3107 и др.) и при проверке транзисторов без выпаивания из схемы никаких проблем не возникает (влияние на активные элементы проверяемой схемы минимально). Вполне возможно, что подойдут и современные кремниевые транзисторы, но лично мною такой вариант на практике не проверялся.

Батарею в этой схеме следует отключать после работы, иначе она будет разряжаться через открытые переходы транзисторов Т1 и Т2.

Как уже было сказано в начале, с помощью этих пробников можно определить маркировку выводов и тип проводимости ( p – n – p / n – p – n )неизвестных транзисторов. Для этого выводы транзистора нужно поочередно подключать к щупам пробника в разной комбинации и при разных положениях переключателя S1 до проявления звукового сигнала.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Читайте так же:
Насадки на триммер своими руками

Подложка-mosfet транзистора

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Подложка с n областями

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Канал моп транзистора

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Полная модель мдп транзистора

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Протекание тока через транзистор

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Включение транзистора в цепь

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

Транзистор с каналом p-типа

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Включение мдп транзистора

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

IRF640

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

podgotovka-multimetra

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Проверка встроенного диода

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка встроенного диода

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Проверка мдп транзистора

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Проверка сопротивления канала транзистораЕсли поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

Закрытие транзистора

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

Как проверить мосфет (полевик)

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Иногда требуется точно определить, работоспособен ли полевой транзистор. Это возможно выполнить с использованием мультиметра. Как проверить полевик — подробнее рассказывается далее.

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

  1. Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
  2. Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.
Читайте так же:
Стяжка эксцентриковая для дсп

Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Отличие полевого от биполярного транзистора

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Разновидности полевиков

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

  • с управляющим переходом;
  • с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

  1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
  2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
  3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
  4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

  1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Читайте так же:
Хранение крепежа в мастерской

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в.

Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

Цифровой мультиметр

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

  1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
  2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.
  1. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
  2. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Подготовка к работе

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

ТОРУС 255 замена MOSFET на IGBT

  • Новичок
  • Cообщений: 71
  • Город: Хабаровск

Закончились транзисторы IRFP360 , те что применяются в этих сварочниках. Перспективы заказа их пока туманны.

Но есть пока достаточно FGH40N60SMDF.

Есть желание попробовать заменить штатные MOSFET на IGBT.

Один раз попробовал, но хлопнули под нагрузкой, более времени не было на опыты, клиент торопил.

Частота (42 кГц) , напряжение рабочее, ток рабочий — вроде бы нет препятствий, 8 штук вместо 16 шт. MOSFET вполне хватило бы.

Но одну ошибку при замене вроде бы сделал — оставил резисторы в цепи затворов 15 ом.

Думаю надо бы от 1 — 5 ом.

Есть у кого опыт, соображения?

#2 tehsvar

  • Город: Нижний Новгород

Если только драйвера ставить на раскачку микрушные.

Ёмкость затвора выше, ток туда ввалить надо больше. И уровень напруги поднять. Там он около 8 вольт в оригинале вроде.

Максимум 10. А ИЖБеТу нужно примерно 15. Следовательно и эту напругу надо поднять.

  • 5

#3 gonta

  • Участник
  • Cообщений: 848
  • Город: Вологодская обл

Сообщение отредактировал gonta: 15 Апрель 2020 06:21

#4 Nikoley

  • Новичок
  • Cообщений: 71
  • Город: Хабаровск

Спасибо за ответы!

Это у меня антикризисные мероприятия.

В нормальной ситуации доступ к мосфетам без проблем.

Читайте так же:
Что делает лазерный гравер

Но и слегка шокирует количество одновременно сгоревших транзисторов.

Два аппарата хором воткнули в 380 вольт и мои запасы сразу иссякли.

Нарыл еще хорошие транзисторы MOSFET — OSG55R030HZF

Думаю можно попробовать вместо штатных 16 штук поставить эти 4 штуки.

Но — после кризиса.

Прикрепленные файлы
  • OSG55R030HZF.pdf878,01К 424 скачиваний

#5 copich

  • Город: Москва

Nikoley ,
А стоит ли колхозить?Что у чинцев, что на «чип и дип» мосфетов овермного.
Ну допустим драйвера переколхозишь, резисторы подберешь.Есть время на проведение испытаний во всем диапазоне токов и допиливание в процессе?
Тем более IGBT дороже, а надежнее ли.

tehsvar , все правильно сказал. Можно оптронные драйвера воткнуть. Как элементарный преобразователь уровня выходного для управления транзисторами. Но возникнет вопрос, от чего запитать.

gonta , испытания не нужны будут. Главное, что заниженная по уровню управа приводит к не стабильному срабатыванию транзисторов, к повышенному переходному сопротивлению, что приводит к перегреву транзистора и взрыву. Алексей это и сказал, что будет и как от этого избавится. Но стоит ли колхозить, это конечно другой вопрос. Если клиенту надо, а других в очереде нет, то можно и попробовать. Но. Параллельное подключение транзисторов не только по току значение повышает но еще и переходное сопротивление будет меньше, следовательно может сказаться связка с трансформатором. Но все это только теоретическое. В телевизорах у меня прокатывало все это и без особых переделок. Но там и токи не такие. Там больше в сторону высоких напряжений все направлено. А если заработает, достаточно на баластнике прогнать например на 100А 10 минут и при положительном исходе, можно выдавать клиенту.

зарабатываем и получаем удовольствие от процесса.

#6 dimmar

  • Гость
  • Cообщений: 6

Актуальный вопрос по замене, после сегодняшнего случая.

Сегодня менял 7шт. IRFP360 в Торус-200с. Включил — работает, напряжение на выходе есть, в норме, Чиркнул электродом на минимуме, искра есть, даже дугу зажёг, прибавил ток, чиркнул и бабахнуло 4 из 7-ми заменённых. Внешне транзисторы выглядят идеально, никаких перемаркировок на шлифованном корпусе, никаких отличий по толщине ножек, обратный рисунок металлической подложки соответствует. Самое интересное внутри, а внутри находится полевик в корпусе TO-252. И в магазине побожились, что туфту не возят, стараются только оригиналы, а по этим вообще и не сомневайся. Где брать теперь ХЗ, у нас это единственный магазин в городе, а китайцев заказывать ещё та рулетка.

#7 NikOtiN

  • Участник
  • Cообщений: 1 077
  • Город: Красноярск

Думаю вам нужно собрать нагрузочный стенд, чтобы проверять транзисторы перед установкой на плату. А может вообще не в транзисторах дело.

#8 copich

  • Город: Москва

Актуальный вопрос по замене, после сегодняшнего случая.

Сегодня менял 7шт. IRFP360 в Торус-200с. Включил — работает, напряжение на выходе есть, в норме, Чиркнул электродом на минимуме, искра есть, даже дугу зажёг, прибавил ток, чиркнул и бабахнуло 4 из 7-ми заменённых. Внешне транзисторы выглядят идеально, никаких перемаркировок на шлифованном корпусе, никаких отличий по толщине ножек, обратный рисунок металлической подложки соответствует. Самое интересное внутри, а внутри находится полевик в корпусе TO-252. И в магазине побожились, что туфту не возят, стараются только оригиналы, а по этим вообще и не сомневайся. Где брать теперь ХЗ, у нас это единственный магазин в городе, а китайцев заказывать ещё та рулетка.

Осциллограмму снимали? Смотрели что по входам на транзисторах? И как это полевик в корпусе 252-го? Можно фото?

зарабатываем и получаем удовольствие от процесса.

#9 dimmar

  • Гость
  • Cообщений: 6

Осциллограмму снимали? Смотрели что по входам на транзисторах? И как это полевик в корпусе 252-го? Можно фото?

C осциллограммой всё в порядке, по входам всё в норме, в этом плане вопросы не актуальны, всё сделано как полагается. Я просто про китайское чудо рассказал. Полевик в корпусе TO-252 припаян на подложку припаяны боковые ноги и на этом бутерброде сформирован корпус TO-247. Позже выложу фото этого ноу-хау.

#10 dimmar

  • Гость
  • Cообщений: 6

Вот оно, «китайское экономическое чудо».

Прикрепленные изображения

#11 copich

  • Город: Москва

dimmar , не вижу ни чего криминального.

1. новые транзисторы проверить. Если остаются старые, то тестером они должны иметь идентичные параметры при прозвонке. Любые сопротивления или отсутствия должны быть в одном не только пределе но и очень близкие по параметрам.

2. Выпаянные места, проверить на наличие дефектных мест. В плане того, что могут быть оторвавшиеся дорожки или повреждения межслойных пистонов. Следовательно, по мере возможности устранить или продублировать проводами. Но в таком случае, провода должны идти по соответствующим дорожкам, чтобы не получить разную длину проводника.

3. взять осциллограф и посмотреть управляющий сигнал на каждом транзисторе. Конечно для удобства, транзисторов не должно быть. А так же нельзя допустить, чтобы затвор висел в воздухе.

При выполнении всех условий, что все соответствует и все должно быть как надо, только после этого можно пробовать в работе источник, т.е. впаивать транзисторы и проверять в работе. Когда транзисторы все на месте, то еще раз проверить контакт всех дорожек и всех ножек транзисторов. Любой затвор повисший в воздухе, будет практически гарантом — взрыва. А так же отклонение управляющего сигнала он нормы, будет так же причиной взрыва. Сильное отклонение транзисторов по своим параметрам, может так же привести к взрыву новоустановленных или старых но вроде бы работающих транзисторов.

Читайте так же:
Стол для торцевой пилы своими руками

Проверка тестером, если есть малейшее подозрение — однозначное выкидывание транзистора. Были случаи когда при первичной проверке, транзистор показывал КЗ, но повторный замер, вроде бы как живой. Вот такие ставить нельзя. Если тестером. Если городить стенд, то тут опыта нет, надо смотреть. Бывало, что не работающий транзистор в схеме, после проверки даже без выпаивания, его запускал и он работал.

Еще, видел в интернете, у людей, контактные площадки для охлаждения не имели контакта с радиатором, т.е. часть корпуса изолятора выступала и не позволяла транзистору иметь контакт с радиатором.

IRFP360 по даташиту, не имеет другого корпусного исполнения. Поэтому я не думаю, что это подделка. По ногам транзистора перед его пайкой, если он новый, можно посмотреть его на качество исполнения. Но даже совсем подозрительные и те ни когда не подводили, если в целом прозванивались как положено. А вот управляющий сигнал, его искажение хотя бы на одном транзисторе, приводило к взрыву. В начале карьеры, не один транзистор таким образом был угроблен. Без осциллографа, вероятность починки 5050. Каждый канал транзистора нужно подробно проверить тестером, а иногда выпаивать, а иногда только заменой на новую деталь. Осциллограф сокращает время на поиск проблемы но и то не всегда. А тестером в некоторых случая, можно вечность искать проблему.

зарабатываем и получаем удовольствие от процесса.

#12 dimmar

  • Гость
  • Cообщений: 6

dimmar , не вижу ни чего криминального.

1. новые транзисторы проверить. Если остаются старые, то тестером они должны иметь идентичные параметры при прозвонке. Любые сопротивления или отсутствия должны быть в одном не только пределе но и очень близкие по параметрам.

2. Выпаянные места, проверить на наличие дефектных мест. В плане того, что могут быть оторвавшиеся дорожки или повреждения межслойных пистонов. Следовательно, по мере возможности устранить или продублировать проводами. Но в таком случае, провода должны идти по соответствующим дорожкам, чтобы не получить разную длину проводника.

3. взять осциллограф и посмотреть управляющий сигнал на каждом транзисторе. Конечно для удобства, транзисторов не должно быть. А так же нельзя допустить, чтобы затвор висел в воздухе.

При выполнении всех условий, что все соответствует и все должно быть как надо, только после этого можно пробовать в работе источник, т.е. впаивать транзисторы и проверять в работе. Когда транзисторы все на месте, то еще раз проверить контакт всех дорожек и всех ножек транзисторов. Любой затвор повисший в воздухе, будет практически гарантом — взрыва. А так же отклонение управляющего сигнала он нормы, будет так же причиной взрыва. Сильное отклонение транзисторов по своим параметрам, может так же привести к взрыву новоустановленных или старых но вроде бы работающих транзисторов.

Проверка тестером, если есть малейшее подозрение — однозначное выкидывание транзистора. Были случаи когда при первичной проверке, транзистор показывал КЗ, но повторный замер, вроде бы как живой. Вот такие ставить нельзя. Если тестером. Если городить стенд, то тут опыта нет, надо смотреть. Бывало, что не работающий транзистор в схеме, после проверки даже без выпаивания, его запускал и он работал.

Еще, видел в интернете, у людей, контактные площадки для охлаждения не имели контакта с радиатором, т.е. часть корпуса изолятора выступала и не позволяла транзистору иметь контакт с радиатором.

IRFP360 по даташиту, не имеет другого корпусного исполнения. Поэтому я не думаю, что это подделка. По ногам транзистора перед его пайкой, если он новый, можно посмотреть его на качество исполнения. Но даже совсем подозрительные и те ни когда не подводили, если в целом прозванивались как положено. А вот управляющий сигнал, его искажение хотя бы на одном транзисторе, приводило к взрыву. В начале карьеры, не один транзистор таким образом был угроблен. Без осциллографа, вероятность починки 5050. Каждый канал транзистора нужно подробно проверить тестером, а иногда выпаивать, а иногда только заменой на новую деталь. Осциллограф сокращает время на поиск проблемы но и то не всегда. А тестером в некоторых случая, можно вечность искать проблему.

Ты смеёшься что ли, ничего криминального?

В корпус одного транзистора китайцы вставили какой-то маломощный полевик, и ничего криминального? Тебе внутренности оригинала показать?

Да, и мне не надо рассказывать, как ремонтировать инверторы, я их уже много лет ремонтирую.

Сообщение отредактировал dimmar: 04 Май 2020 18:37

#13 dimmar

  • Гость
  • Cообщений: 6

Вот так выглядит кристалл оригинального транзистора. Если кто не увидит криминала, поясняю, кристалл оригинала в 6 раз больше китайского чуда.

голоса
Рейтинг статьи
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector