Montagpena.ru

Строительство и Монтаж
4 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Параллельное соединение полeвых транзисторов

Параллельное соединение полeвых транзисторов

Непонятное соединение транзисторов
Здравствуйте. Вот, наткнулся на схему, которая мне не очень понятна. А именно часть с «сеткой» из.

Параллельное соединение аккумуляторов
Всем привет, начинающий самоучка, так что пинайте не сильно). В общем стоит вопрос параллельного.

Последовательное и параллельное соединение резисторов
1. R1=R2= 15 Ом R3=R6= 20 Oм R4=R5= 17.5 Ом R7= 12 Ом Определить Rab-?

RC параллельное соединение
При подаче постоянного напряжения ток первым делом потечет на конденсатор, т.к. его сопротивление.

Сообщение от shurup
Сообщение от Stotym_UssR
Сообщение от Stotym_UssR

Тоже голову ломаю — как лучше и правильнее сделать.
Это стабилизатор тока + ключ.
На вход "+" операционника подается опорное напряжение.
Q3 и Q4 в купе с операционником должны поддерживать заданный ток I=Vопорное/R23.
Сейчас на схеме истоки полевиков разделены, и напряжение обратной связи для операционника снимается с одного резистора.
Транзистор Q1 — ключ.
Частота переключений — 56 КГц

Или лучше истоки полевиков соединить?
А как правильно рассчитать сопротивление на затворе ключа?
На затворах Q3 и Q4?
R26 вообще нужен?
Если нужен — какого номинала?

Сообщение от Pymkvym

лучше поставить на управление каждым полевиком свой ОУ, иначе при значительном разбросе напряжения открывания разницы напряжений на резисторах в истоках уже не хватит для выравнивания тока.
Подробней про линейный режим полевиков:
http://www.irf.som/technical-i. n-1155.pdf
http://top-50.ru/posts/858394-0a09f8ec6 . 7085fc9ecd

Сообщение от Pymkvym

Так, чтобы ток не превысил предельного для драйвера.

Сообщение от Pymkvym

Если всё-же управлять от одного ОУ, то лучше их номиниал увеличить до номинального тока выхода ОУ, а R26 убрать.

К стати вопрос, а зачем Q1? не проще ли дёргать 3 ногу ОУ, а лучше сделать регулировку тока ШИМмом.

Спасибо за совет.
Но нужно регулировать именно ток, а не скважность.
Второй операционник — можно попробовать (найти микруху с двумя ОУ), но усложнит разводку сильно.

Транзисторы одной марки.
Подключены как повторители напряжения.
Резисторы — 1%.
Будет сильный разброс?

Пусть даже 20% разница в токе будет — не критично.

Контроллером дергать 3-ю ногу операционника проблематично.
Если только тот же ключ туда посадить и на землю ключевать.
Но что это даст?

Сообщение от Ранинав Илексиндр

Просто соединить одинаковые выводы вместе. Режим линейный, поэтому резисторы в затвор и/или исток какого-либо смысла не имеют. Это ведь не биполяры, а полевики, у которых позитивный коэффициент сопротивления канала при нагреве. Возможный разброс по току в транзисторах зависит от разницы сопротивления канала при заданной температуре. Потом в процессе работы транзисторы прогреются до несколько отличающейся температуры и токи через транзисторы +- выровняются. У транзисторов на схеме диапазон в даташите не указан, только максимальное значение, поэтому прикинуть разброс на вскидку не получится.

Последовательное соединение полевых транзисторов схема

Транзистор – усилитель. Ч.19. Транзистор – усилитель. Ч.19. Всё-таки MOSFET’ы!

Итак, параллельное включение выходных транзисторов имеет много плюсов (см. предыдущую часть). Но что-то мешало этой идее захватить умы творческих масс РАДИОлюбителей, чтобы начать делать УМЗЧ мощностью в сотни Ватт. Отсутствие соответствующих биполярных транзисторов или появление комплементарных пар, способных и без «запараллеливания» выдать на нагрузке 50-80 вт? Толкового и компетентного ответа на этот вопрос я в Интернете не нашёл. В.А. Васильев в книге "Зарубежные радиолюбительские конструкции" (2-е издание, 1982 год) упоминает, что "в этом отношении полевые транзисторы имеют большие преимущества перед биполярными, параллельное включение которых затруднительно". Там же он приводит схему УМЗЧ мощностью 100 Вт:

"Полевые транзисторы обладают значительно лучшими характеристиками при усилении сигнала без искажений, но приборы, пригодные для работы в оконечных каскадах, появились лишь в начале 70-х годов".

Читайте так же:
Червячный домкрат с ручным приводом

Далее цитирую сайт, статья на котором мне очень понравилась.

Цитата №1:
В 70-х годах XX в. различные типы мощных полевых транзисторов получили бурное развитие. Окснер в своей книге, в переводе выпущенной в 1985 г., утверждал, что первые промышленные образцы мощных полевых транзисторов появились в 1976 г. Но он не учитывал пионерские работы в СССР, выполненные ещё в начале 70-х и отражённые в крупных отраслевых обзорах, научных статьях и книгах.
Конец цитаты. Источник: https://power-e.ru/components/moshhnye-polevye-tranzistory/

Получается, что мощные МДП-транзисторы (так по-нашему имеются MOSFET’ы) были впервые выпущены в СССР! И хотя их основная область применения – импульсная и переключающая ВЧ и СВЧ электроника, для усиления звуковой частоты они также оказались весьма пригодны!

Примечание. Подробнее о MOSFET’ах см: в «РАДИкомпонентах» — — -> «MOSFET-транзистор»

Цитата №2:
В 1974 г. советские серийные мощные полевые транзисторы КП901 (с током стока до 2 А и максимальным напряжением до 65 В) вызвали сенсацию в мире и были удостоены золотой медали на всемирной выставке-ярмарке в Лейпциге. Вскоре появились самые мощные из этих приборов — транзисторы КП904 с рассеиваемой мощностью 75 Вт, током стока до 7,5 А и отдаваемой на частоте 60 МГц мощностью до 50 Вт. Менее мощные транзисторы КП902 легко обеспечивали уникально малые времена переключения около 1 нс.
Конец цитаты. Источник тот же.


Обратите внимание на корпуса транзисторов – это не́что!

Оказалось, что применение МДП-транзисторов позволяет самым коренным образом улучшить звучание УЗЧ, если заменить ими биполярные в выходном каскаде. Не буду углубляться в поиски забугорных изобретателей. Мне интереснее свои, отечественные.
Первая схема была опубликована в журнале «РАДИО», №2, 1983 г., с.54, В. Ильин, Р. Яцковский, «Полевые транзисторы в выходном каскаде усилителя мощности»:

Как видно, в плечах данного УМЗЧ применены совершенно одинаковые МДП-транзисторы КП904А:


с индуцированным каналом N-типа.

Примечание. Достать легально такие транзисторы в 1983 году было совершенно нереально! Поэтому для абсолютного большинства РАДИОлюбителей данный УМЗЧ представлялся как нечто экзотическое. Кстати, КП904 и сейчас стоят около 500 р. за штуку. Наверное, из-за массы металла?!

MOSFET’ы бывают с N-каналом и Р-каналом (как биполярные – прямой и обратной проводимости). Пары MOSFET’ов также бывают комплементарными (как биполярные). Значит, в выходных каскадах можно использовать и коплементарные пары MOSFET’ов.

По сравнению с биполярными MOSFET’ы выгодно отличаются лучшей линейностью проходных характеристик и существенно более высоким быстродействием, т.е. лучшими частотными свойствами. Эти особенности полевых транзисторов позволяют относительно простыми средствами доводить параметры и качество звучания УМЗЧ до самого высокого уровня, что неоднократно подтверждено на практике. Улучшению линейности выходного каскада способствует и такая особенность полевых транзисторов, как высокое входное сопротивление, что позволяет обойтись без предоконечного каскада и дополнительно снизить искажения, сократив путь сигнала.

Отсутствие явления вторичного теплового пробоя у полевых транзисторов расширяет область безопасной работы выходного каскада и тем самым позволяет повысить надежность работы усилителя в целом, а также в некоторых случаях упростить цепи температурной стабилизации тока покоя.

Вторая схема была опубликована в «РАДИО», №11, 1983 г., с.36, С. Борисов, «МДП-транзисторы в усилителях НЧ»:

А в «РАДИО» №6, 1985 г., с.25, Н. Дмитриев, Н. Феофелактов, «Схемотехника усилителей мощности ЗЧ» появилось не́что монструозное:

К моему великому сожалению «…с комлементарными парами мощных МОП-транзисторов в выходном каскаде японской фирмы «Hitachi». Для увеличения выходной мощности транзисторы оконечного каскада VT14, VT16 (2SK134) и VT15, VT17 (2SJ49) соединены параллельно». Судя по всему и схема тоже не от отечественного производителя, а от японской фирмы.

Дальше – больше. Но и усилители на биполярных транзисторах не забывались!

Читайте так же:
Полимеры классификация и свойства

Спустя некоторое время появился широкий доступ к импортной элементной базе и процесс, как говорится, пошёл в широкие РАДИОлюбительские массы.

Однако, как именно строится выходной каскад усилителя на полевых транзисторах? Каковы его принципиальные отличия от оного на биполярных?
Вот типичная схема:

1) Установка MOSFET’ов вместо биполярных требует некоторой модернизации цепей начального смещения транзисторов выходного каскада. Такая модернизация сводится к замене номиналов резисторов R2, R3, R4. Это необходимо из-за значительно бо́льшей величины отпирающего напряжения на затворе полевого транзистора по сравнению с отпирающим напряжением на базе биполярного транзистора.
2) Требуется также коррекция тока покоя предвыходного каскада, который должен иметь достаточную величину для быстрой перезарядки больших входных ёмкостей MOSFET’ов, также значительно бо́льших, чем у биполярных транзисторов. В некоторых случаях при увеличении тока покоя потребуется установка дополнительных радиаторов и на транзисторы предвыходного каскада.
3) Кроме того, необходимо установить антипаразитные резисторы R7, R8 сопротивлением 200-470 Ом в цепи затворов каждого полевого транзистора. Без них или при их меньшей величине усилитель самовозбуждается.
4) Для повышения надежности усилителя не лишним будет установка защитных стабилитронов VD1, VD2 с напряжением стабилизации 10…15 В в цепи затворов транзисторов. Эти стабилитроны будут защищать от пробоя затвор, величина обратного пробивного напряжения которого, как правило, не превышает 20 В.

При анализе цепей установки начального смещения выходного каскада любого усилителя следует обратить внимание на два момента.

Первый момент связан с тем, какой начальный ток покоя установлен. Многие зарубежные производители устанавливают его в пределах 20-30 мА, что явно недостаточно с точки зрения высококачественного звучания на малых уровнях громкости. Хотя видимые искажения типа «ступенька» в выходном сигнале отсутствуют, недостаточная величина тока покоя приводит к ухудшению частотных свойств транзисторов, и как следствие, к неразборчивому, «грязному» звучанию на малых уровнях громкости, «замазыванию» мелких деталей. Оптимальной величиной тока покоя следует считать 50-100 мA. Если в усилителе установлено несколько транзисторов в плече, то эта величина относится к каждому транзистору. В подавляющем большинстве случаев площадь радиаторов усилителя позволяет долговременно отводить от выходных транзисторов тепло при рекомендованной величине тока покоя.
Второй, очень важный момент состоит в том, что нередко применяемый в классической схеме установки и термостабилизации тока покоя высокочастотный транзистор VT1 возбуждается на высоких частотах, причем его возбуждение очень сложно обнаружить. Поэтому желательно использовать вместо него низкочастотный транзистор. В любом случае замена этого транзистора на низкочастотный гарантирует от неприятностей. Устранить динамическое изменение напряжения помогает и включение между коллектором и базой конденсатора С1 емкостью до 0,1 мкФ.

Схемы и фото с указанного сайта.
Вариант первый:

Второй вариант помощнее и с некоторыми изменениями:

VT1, VT2 – дифкаскад;
VT3 – усилитель напряжения;
VT4 – датчик температуры (устанавливается на радиатор VT7- VT10);
VT5, VT6 – фазоинвертор;
VT7- VT10 – параллельный выходной каскад; при желании вполне можно оставить одну пару транзисторов. Все транзисторы на выходе совершенно однотипные – N-канальные.
«Перед включением R2 выставить в среднее, R8 – в верхнее по схеме положение. После включения R8 выставляем ток покоя выходных транзисторов в пределах 25-30 мА. И, соответственно, R2 ноль на выходе. Ток покоя можно контролировать на резисторах 0.1 Ом, падение напряжения на них будет равно 2.5 — 3 милливольта в режиме покоя».

Прочие рекомендации – на том же форуме. Зеленин использует для сборки своих усилителей детали от «битых» UPS – источников бесперебойного питания – и при этом получает весьма хороший результат! Неужели такое возможно? Надо бы проверить на досуге. Тем более, что для этого ни рубля тратить не надо – компонентов от «битых» UPS у меня тоже предостаточно.

Читайте так же:
Обдирочная фреза по металлу

Очень надеюсь, что эксперимент будет. Позже.

На этом я заканчиваю сериал «Транзистор – усилитель». Спасибо за внимание и долготерпение.

Устранение паразитных колебаний, возникающих при параллельном соединении полевых транзисторов MOSFET

Колебания возникают при скачке напряжения стока в момент переключения силовых транзисторов. Рис. 1 показывает колебания, возникающие у двух параллельно соединенных полевых транзисторов APT5024BLL (номинальные напряжение 500 В и ток 22 А). Каждый полевой транзистор в своем составе имеет резистор сопротивлением 10 Ом. Он располагается между затвором и драйвером управления затвором. Результаты эксперимента получены при напряжении сток-исток 333 В, токе 44 А и температуре среды 25 °С. Напряжение драйвера управления затвором составляло 15 В. В качестве драйвера использовалось устройство Micrel MIC4452 с симметричной разводкой контактов затвора. Как видно из рис. 1, на затворе возникают колебания достаточно высокой частоты. Диапазон частот колебаний лежит в пределах от 50 до 250 МГц. Такие высокочастотные колебания недопустимы, так как это может стать причиной скачков напряжения на затворе, излучения радиочастотных помех, высоких потерь на переключение, способных вывести из строя конечное изделие.

Добавление индуктивности типа Ferrite bead1

Данный тип индуктивности представляет собой ферритовый цилиндр с отверстием в оси для проводника. Находит широкое применение для подавления радиочастотных помех.

Добавление индуктивного элемента Ferrite bead с резистором на затворе силового транзистора (рис. 2) устранило паразитные колебания при минимизировании потерь на переключение. Фактически добавление индуктивности более эффективно, чем использование резистора на затворе, так как ее импеданс прямо пропорционален частоте. Ширина полосы пропускания сигнала, поступающего с драйвера управления затвором, около 2 МГц, тогда как частота, на которой возникают паразитные колебания, составляет 50–250 МГц. Поэтому импеданс индуктивного элемента по отношению к частоте шумовых колебаний в 25–125 раз выше, чем по отношению к сигналу с драйвера. Высокое сопротивление индуктивности достаточно эффективно блокирует помехи, вызванные протеканием тока от истока к затвору. Более надежно паразитные колебания могут быть устранены при использовании индуктивности достаточной величины и, наравне с этим, при проведении демпфирования резистором затвора.

Рис. 2. Индуктивный элемент Ferrite bead с резистором на затворе силового транзистора

Для подавления помех элементы Ferrite bead могут использоваться не только на параллельно установленных транзисторах. При этом будет достигаться тот же эффект: высокочастотные шумы на затворе будут блокироваться, устраняя любые попытки возникновения колебаний.

На рис. 3 показаны переходные процессы в момент выключения двух параллельно соединенных полевых транзисторов MOSFET — APT5024BLL. В эту серию были последовательно добавлены индуктивные элементы с резисторами сопротивлением 4,3 Ом на каждом затворе. Включение параллельно соединенных полевых транзисторов происходит с теми же колебаниями, что и выключение.

Рис. 3. Момент выключения двух APT5024BLL

На рис. 4 изображены осциллограммы при включении двух параллельных силовых транзисторов APT50M65LLL, на затворе каждого из которых размещен резистор сопротивлением 4,3 Ом. Характеристики этих же устройств изображены на рис. 5, но только уже с затворными резисторами сопротивлением 1 Ом и индуктивными элементами Ferrite bead маленькой величины на каждом затворе. Колебание устранено, но при этом пришлось смириться с 8-процентным увеличением энергии, затрачиваемой на включение, и незначительным увеличением задержки при включении.

Рис. 4. Момент включения двух APT50M65LLL с наличием затворных резисторов

Рис. 5. Момент включения двух APT50M65LLL с наличием резисторов и Ferrite bead на затворе

Рис. 6 показывает возникновение колебаний при выключении силовых транзисторов с одним сопротивлением на затворе без индуктивного элемента, а на рис. 7 (при добавлении индуктивности к затвору) генерация исчезает. Как и на рис. 4–5, здесь использовались резисторы сопротивлениями 4,3 Ом и 1 Ом в комбинации с индуктивностями Ferrite bead. В этот раз индуктивные элементы меньшего сопротивления привели к уменьшению энергии, затрачиваемой на выключение, несмотря на то, что задержка на выключение возросла. Заметим, что затворы на рис. 7 на грани генерации, поэтому для оптимального результата необходимо немного повысить сопротивление на затворе.

Читайте так же:
Сборка силового щита на 3 фазы

Рис. 6. Начало процесса включения транзисторов

Рис. 7. Окончание процесса включения транзисторов

Если для устранения колебаний использовались бы только резисторы (рис. 1 и 4), энергии, затрачиваемые на переключение транзисторов, были бы больше, чем при использовании индуктивностей Ferrite bead на каждом затворе.

Добавление индуктивных элементов — достаточно привлекательное решение. Они недороги, малы и просты при использовании. На сегодня доступен широкий ассортимент индуктивностей Ferrite bead с различными параметрами. Энергия, затрачиваемая на переключение, может быть оптимизирована экспериментальным путем различными комбинациями сопротивлений и индуктивностей. Некоторые индуктивности имеют достаточно гибкое сопротивление с монотонной частотной характеристикой. Если индуктивности достаточно большие и не имеют потерь, затворные резисторы могут не использоваться.

Альтернативные решения устранения паразитных колебаний

Контурные площадки

Может показаться лишним добавление индуктивности Ferrite bead к цепи управления затворами, решающей проблему паразитных колебаний. Лучшие решения, реализованные на практике, рекомендуют проводить уменьшение индуктивности драйвера управления затвором путем использования плотной компоновки схемы. Однако ключ с компоновкой драйвера управления затвором обладает недостаточной индуктивностью. Поэтому предпочтительным решением выглядит контурная площадка. Проблема возникает из-за ее большой площади и заключается в том, что контур выступает как антенна, которая принимает высокочастотные шумы. Длинный вывод драйвера управления затвором фактически устраняет колебания благодаря повышению паразитной индуктивности самого драйвера.

Применение стабилитронов

Установка стабилитронов между выводами затвора и истока эффективна при подавлении шумов, возникающих на низких частотах переключения, и при наличии длинного вывода драйвера управления затвором. Однако стабилитроны неэффективны при подавлении шумов на частоте в десятки мегагерц.

На рис. 8 показана частотная характеристика стабилитрона (номинальное напряжение 15 В, корпус DO-41). Выводы диода были обрезаны до длины 5 мм, необходимой для установки диода на поверхность печатной платы. На частоте вплоть до 250 МГц импеданс корпуса стабилитрона является чисто емкостным, на высших частотах преобладает индуктивное сопротивление корпуса, что позволяет диоду выступать в качестве катушки индуктивности. Так же, как и у обычных диодов, емкостное сопротивление стабилитрона уменьшается с повышением напряжения обратного смещения.

Рис. 8. Частотная характеристика стабилитрона

Наличие стабилитрона, приложенного к затвору, повышает зависимое от напряжения и частоты емкостное сопротивление колебательного RLC-контура, где могут возникнуть паразитные колебания. Добавленное сопротивление не играет никакой роли, так как емкостное сопротивление стабилитрона по сравнению с входным емкостным сопротивлением MOSFET полевого транзистора незначительно.

С тех пор как помещение стабилитрона между затвором и истоком перестало приносить значительные результаты (при подавлении высокочастотных шумов и паразитных колебаний), стало лучше обходиться без них. Однако они могут быть полезны для подавления низкочастотных шумов, таких, которые возникают, например, при управлении двигателем драйвером управления затворами с длинными выводами.

Заключение

Мощные MOSFET имеют много преимуществ. При правильном применении они улучшают всю конструкцию системы, которая часто содержит меньше компонентов, легче, компактнее и имеет лучшие характеристики, чем те, которые могут быть достигнуты на приборах другого типа.

Так же, как и все мощные полупроводниковые приборы, мощные MOSFET имеют свои собственные маленькие технические тонкости, которые необходимо соблюдать при использовании силовых транзисторов в процессе работы:

  • Паразитные колебания между двумя параллельно установленными полевыми транзисторами недопустимы, так как значительно уменьшается надежность, эффективность устройства.
  • Индуктивности Ferrite bead очень эффективны в устранении паразитных колебаний до тех пор, пока уменьшаются потери на переключения, так как они действуют как частотнозависимый затворный резистор.
  • Установка стабилитрона между затвором и истоком не контролирует высокочастотные паразитные колебания.
Читайте так же:
Подъём дома своими руками

Если эти тонкости правильно понять и соблюдать, потенциальные ловушки могут быть легко преодолены при минимальных затратах. Это повышает возможности устройства и его эффективность на высоких частотах.

Схемы включения полевых транзисторов

Подобно тому, как в различных электронных устройствах биполярные транзисторы работают с включением по схеме с общим эмиттером, с общим коллектором или с общей базой, полевые транзисторы во многих случаях можно использовать аналогичным образом включая их: с общим истоком, с общим стоком или с общим затвором.

Разница заключается в способе управления: биполярный транзистор управляется током базы, а полевой транзистор — зарядом затвора.

Схемы включения полевых транзисторов

С точки зрения затрат энергии на управление, управление полевым транзистором получается в целом более экономичным, чем управление транзистором биполярным. Это один из факторов, объясняющих нынешнюю популярность полевых транзисторов. Рассмотрим, однако, в общих чертах типичные схемы включения полевых транзисторов.

Включение с общим истоком

Включение с общим истоком

Схема включения полевого транзистора с общим истоком является аналогом схемы с общим эмиттером для биполярного транзистора. Такое включение весьма распространено в силу возможности давать значительное усиление по мощности и по току, фаза напряжения цепи стока при этом переворачивается.

Входное сопротивление непосредственно перехода затвор-исток достигает сотен мегаом, хотя оно может быть уменьшено путем добавления резистора между затвором и истоком с целью гальванически подтянуть затвор к общему проводу (защита полевого транзистора от наводок).

Величина этого резистора Rз (от 1 до 3 МОм обычно) подбирается так, чтобы не сильно шунтировать сопротивление затвор-исток, при этом не допускать перенапряжения от тока обратносмещенного управляющего перехода.

Существенное входное сопротивление полевого транзистора в схеме с общим истоком является важным достоинством именно полевого транзистора, при его использовании в схемах усиления напряжения, тока и мощности, ведь сопротивление в цепи стока Rс не превышает обычно единиц кОм.

Полевой транзистор

Включение с общим стоком

Включение с общим стоком

Схема включения полевого транзистора с общим стоком (истоковый повторитель) является аналогом схемы с общим коллектором для биполярного транзистора (эмиттерный повторитель). Такое включение используется в согласующих каскадах, где выходное напряжение должно находиться в фазе с входным.

Входное сопротивление перехода затвор-исток как и прежде достигает сотен мегаом, при этом выходное сопротивление Rи сравнительно небольшое. Данное включение отличается более высоким частотным диапазоном, чем схема с общим истоком. Коэффициент усиления по напряжению близок к единице, так как напряжение исток-сток и затвор-исток для данной схемы обычно близки по величине.

Включение с общим затвором

Включение с общим затвором

Схема с общим затвором — подобие каскаду с общей базой для биполярного транзистора. Усиления по току здесь нет, потому и усиление по мощности многократно меньше, чем в каскаде с общим истоком. Напряжение при усилении имеет ту же фазу, что и управляющее напряжение.

Поскольку выходной ток равен входному, то и коэффициент усиления по току равен единице, а коэффициент усиления по напряжению, как правило, больше единицы.

В данном включении присутствует особенность — параллельная отрицательная обратная связь по току, ибо при повышении управляющего входного напряжения, потенциал истока возрастает, соответственно ток стока уменьшается, и снижает напряжение на сопротивлении в цепи истока Rи.

Так с одной стороны напряжение на сопротивлении истока увеличивается благодаря росту входного сигнала, но уменьшается снижением тока стока, это и есть отрицательная обратная связь.

Данный феномен делает шире полосу пропускания каскада в области высоких частот, поэтому схема с общим затвором популярна в усилителях напряжения высоких частот, и особенно востребована в высоко устойчивых резонансных схемах.

Если Вам понравилась эта статья, поделитесь ссылкой на неё в социальных сетях. Это сильно поможет развитию нашего сайта!

голоса
Рейтинг статьи
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector